| 專利名稱: | 一種基于氮化處理的納米晶浮柵存儲(chǔ)器的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910302491.4 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-05-21 |
| 專利號(hào): | CN101556938 |
| 第一發(fā)明人: | 劉 明 王 永 王 琴 楊瀟楠 龍世兵 謝常青 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于氮化處理的納米晶浮柵存儲(chǔ)器 的制備方法，所述方法包括在硅襯底上生長(zhǎng)遂穿介質(zhì)層，并在遂穿介質(zhì)層上表面生長(zhǎng)硅納米 晶；對(duì)硅納米晶進(jìn)行氮化處理，在氮化處理后的硅納米晶表面淀積控制柵介質(zhì)層，控制柵介 質(zhì)層上淀積多晶硅；刻蝕多層結(jié)構(gòu)到硅襯底，形成制作柵側(cè)墻和源電極、漏電極的區(qū)域；制 作柵側(cè)墻、柵極、源極和漏極，形成浮柵存儲(chǔ)器。本發(fā)明可用于非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元 ，具有電荷存儲(chǔ)容量大，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可靠性高，與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容性好，易于批量生產(chǎn)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出