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專利名稱: 一種用倒梯形剖面的光刻膠制作介質(zhì)邊緣緩坡的方法
專利類別:
申請?zhí)?/strong>: 200810104229.4
申請日期: 2008-04-16
專利號: CN101561629
第一發(fā)明人: 金 智 劉新宇
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況:
專利證書號:
專利摘要: 本發(fā)明公開了一種用倒梯形剖面的光刻膠制作介質(zhì)邊緣緩坡的方
法,包括:A.在基片上涂敷介質(zhì)層;B.在高溫下固化;C.旋涂光
刻膠;D.光刻、顯影,制作倒梯形剖面的光刻膠;E.用含有氧氣的
等離子體進(jìn)行干法刻蝕,得到正梯形剖面的介質(zhì)緩坡。本發(fā)明利用反
轉(zhuǎn)膠和負(fù)性光刻膠等能形成倒梯形剖面的光刻膠,膠的側(cè)面可控性好,
由于介質(zhì)緩坡能較好控制,可提高金屬爬坡的邊緣可控性,提高器件
的成品率和增加電路的電流的處理能力。
其它備注: