專利名稱: | 一種用倒梯形剖面的光刻膠制作介質(zhì)邊緣緩坡的方法 |
專利類別: | |
申請?zhí)?/strong>: | 200810104229.4 |
申請日期: | 2008-04-16 |
專利號: | CN101561629 |
第一發(fā)明人: | 金 智 劉新宇 |
其它發(fā)明人: | |
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專利授權(quán)日期: | |
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專利證書號: | |
專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種用倒梯形剖面的光刻膠制作介質(zhì)邊緣緩坡的方 法,包括:A.在基片上涂敷介質(zhì)層;B.在高溫下固化;C.旋涂光 刻膠;D.光刻、顯影,制作倒梯形剖面的光刻膠;E.用含有氧氣的 等離子體進(jìn)行干法刻蝕,得到正梯形剖面的介質(zhì)緩坡。本發(fā)明利用反 轉(zhuǎn)膠和負(fù)性光刻膠等能形成倒梯形剖面的光刻膠,膠的側(cè)面可控性好, 由于介質(zhì)緩坡能較好控制,可提高金屬爬坡的邊緣可控性,提高器件 的成品率和增加電路的電流的處理能力。 |
其它備注: | |
科研產(chǎn)出