| 專利名稱: | InGaAs/InP HBT中亞微米發(fā)射極的濕法腐蝕方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810104227.5 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-04-16 |
| 專利號(hào): | CN101562132 |
| 第一發(fā)明人: | 金 智 劉新宇 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種InGaAs/InP HBT中亞微米發(fā)射極的濕法腐蝕方 法，包括：A.選擇合適的發(fā)射極InGaAs蓋帽層厚度的HBT外延片； B.在該外延片上旋涂光刻膠；C.光刻、顯影，制作發(fā)射極的圖形； D.蒸發(fā)發(fā)射極金屬；E.在有機(jī)溶液中剝離金屬；F.用磷酸基的腐 蝕液腐蝕InGaAs蓋帽層；G.用鹽酸基的腐蝕液腐蝕發(fā)射極InP層。 本發(fā)明利用發(fā)射極InGaAs蓋帽層的厚度來控制發(fā)射極的側(cè)向腐蝕， InGaAs層的厚度由MBE等外延生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行控制，精度非常高，因 此側(cè)向腐蝕的可控性好。同時(shí)，本發(fā)明避免干法刻蝕造成的損傷，避 免因干法刻蝕造成的器件性能退化，并避免價(jià)格昂貴的干法刻蝕設(shè)備， 有效地節(jié)約了成本。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出