| 專利名稱: | HBT工藝中介質(zhì)平面平坦化的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810104228.X |
| 申請日期: | 2008-04-16 |
| 專利號: | CN101562136 |
| 第一發(fā)明人: | 金 智 劉新宇 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明一種異質(zhì)結雙極性晶體管(HBT)工藝中介質(zhì)平面平坦化 的方法，包括：A.在已進行發(fā)射極金屬蒸發(fā)、發(fā)射極腐蝕、基極金屬 蒸發(fā)、基極和集電極腐蝕、隔離腐蝕，以及基極和集電極接線柱制作 的基礎上，旋涂介質(zhì)層；B.在高溫下進行介質(zhì)固化；C.將基片放在 等離子體下，用干法刻蝕介質(zhì)，直到露出發(fā)射極金屬頂面和接線柱；D. 在介質(zhì)表面旋涂光刻膠；E.光刻、顯影，形成布線圖形；F.蒸發(fā)布 線金屬；G.進行布線金屬的剝離。利用本發(fā)明，能有效提高器件的成 品率，避免微空氣橋制作中的不穩(wěn)定性，對提高器件性能的一致性有 很大的作用。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出