| 專利名稱: | 一種提高集成電路芯片抗靜電能力的封裝方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810104225.6 |
| 申請日期: | 2008-04-16 |
| 專利號: | CN101562140 |
| 第一發(fā)明人: | 曾傳濱 海潮和 李 晶 李多力 韓鄭生 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種提高集成電路芯片抗靜電能力的封裝方法，該 方法包括：在封裝管殼上制作一電源線環(huán)路和一地線環(huán)路；在電源線 環(huán)路與地線環(huán)路之間連接一或多個電容和一電阻；將集成電路芯片的 一個或多個與芯片內(nèi)部電源線相連的地方引線到電源線環(huán)路上；將集 成電路芯片的一個或多個與芯片內(nèi)部地線相連的地方引線到地線環(huán)路 上。利用本發(fā)明，使一些集成電路內(nèi)部自身靜電放電ESD防護能力較 差的芯片，在封裝后可以達到良好的ESD防護能力。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出