| 專利名稱: | 一種絕緣體上硅電路ESD全局保護(hù)結(jié)構(gòu) |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810104230.7 |
| 申請日期: | 2008-04-16 |
| 專利號: | CN101562187 |
| 第一發(fā)明人: | 曾傳濱 海潮和 李 晶 李多力 韓鄭生 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種SOI電路ESD全局保護(hù) 結(jié)構(gòu)，包括：一種初級ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)和一種次級ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)保護(hù)輸 入端；一種智能電阻ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)和一種RC電路控制的輸出瀉流管 結(jié)構(gòu)加一種輸出ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)保護(hù)輸出端/雙向端；一種RC電路控制 的環(huán)線瀉流管保護(hù)結(jié)構(gòu)與串聯(lián)的智能電阻結(jié)構(gòu)放置在電源線環(huán)線與地 線環(huán)線之間，與并聯(lián)的二極管結(jié)構(gòu)一起用于保護(hù)電源端與地端，并協(xié) 助輸入端、輸出端/雙向端瀉放ESD電流。利用本發(fā)明，解決了SOI 芯片輸出端/雙向端瀉放ESD電流能力差的問題和單個(gè)環(huán)線瀉流管瀉 放ESD電流能力有限的問題，使SOI集成電路ESD防護(hù)能力獲得了 全面的提升。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出