| 專利名稱: | 一種改善SOI電路ESD防護(hù)網(wǎng)絡(luò)用的電阻結(jié)構(gòu) |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810104231.1 |
| 申請日期: | 2008-04-16 |
| 專利號: | CN101562188 |
| 第一發(fā)明人: | 曾傳濱 李 晶 海潮和 李多力 韓鄭生 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種改善SOI電路ESD防護(hù) 網(wǎng)絡(luò)用的電阻結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)通過利用硅化物的導(dǎo)體特性，克服了半導(dǎo) 體載流子導(dǎo)電電阻結(jié)構(gòu)在高溫時由于本征電離效應(yīng)出現(xiàn)的電阻負(fù)溫度 特性問題，使得電阻在很大范圍的ESD過程中不僅不會出現(xiàn)阻值變小 降低電阻抬升電位能力的問題，反而會變大，提高了電阻抬升電位的 能力。除此之外，此電阻還具有ESD后穩(wěn)定的阻值特性，克服了半導(dǎo) 體載流子導(dǎo)電電阻在ESD過程中出現(xiàn)的雜質(zhì)回火效應(yīng)問題，進(jìn)一步減 小了對電路電學(xué)特性的影響。利用本發(fā)明，一方面可以獲得更穩(wěn)定的 ESD防護(hù)能力，另一方面在獲得更穩(wěn)定的ESD防護(hù)能力的同時可以降 低ESD防護(hù)用電阻對電路電學(xué)特性的影響。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出