| 專利名稱: | 基于共蒸法制備硅納米晶超晶格結(jié)構(gòu)的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810104757.X |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-04-23 |
| 專利號(hào): | CN101565855 |
| 第一發(fā)明人: | 賈 銳 李維龍 陳 晨 劉 明 陳寶欽 謝常青 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明是一種基于共蒸法制備硅納米晶超晶格結(jié)構(gòu)的方法。本發(fā)明的 主要特征是利用電子束蒸發(fā)設(shè)備在硅襯底上制備疊層硅量子點(diǎn)的方法。其 主要步驟包括：在硅襯底上熱氧化生長(zhǎng)一層絕緣層二氧化硅；用電子束蒸 發(fā)的方法將硅固體顆粒和二氧化鉿固體顆粒混合物蒸發(fā)至絕緣層上；高溫 熱退火。采用這種方法制備的量子點(diǎn)顆粒的大小約為3-6nm，可用于單電 子器件或單電子存儲(chǔ)器的制作，特別是用于太陽(yáng)能電池的制作等。這種方 法具有工藝步驟少、簡(jiǎn)單、穩(wěn)定可靠、易于大規(guī)模制造、能與傳統(tǒng)的微電 子工藝兼容的優(yōu)點(diǎn)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出