| 專利名稱: | 一種制備鏤空的聚酰亞胺蒸發(fā)掩模漏版的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810104760.1 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-04-23 |
| 專利號(hào): | CN101566799 |
| 第一發(fā)明人: | 甄麗娟 商立偉 劉 明 劉興華 涂德鈺 劉 舸 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明是一種用于半導(dǎo)體器件制造的蒸發(fā)掩模漏版的制備方法。其工 藝步驟如下：1.在雙面拋光的硅片襯底上形成聚酰亞胺薄膜層；2.在聚 酰亞胺薄膜層上形成光刻膠圖形；3.在聚酰亞胺和光刻膠圖形層上蒸發(fā) 金屬層；4.剝離形成金屬阻擋層；5.在卡具保護(hù)下從背面對(duì)硅襯底進(jìn)行 腐蝕形成鏤空的聚酰亞胺自支撐膜；6.在金屬阻擋層的掩蔽下從正面進(jìn) 行反應(yīng)離子刻蝕形成聚酰亞胺掩模圖形；7.去除金屬阻擋層，完成聚酰 亞胺掩模漏版的制作。利用聚酰亞胺材料制作漏版，工藝難度小，圖形尺 寸精度高，制造成本低，適合于有機(jī)半導(dǎo)體器件制備領(lǐng)域的大面積圖形化 過程。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出