| 專利名稱: | 一種摻雜ZrO2阻變存儲器及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910086551.3 |
| 申請日期: | 2009-06-09 |
| 專利號: | CN101577308 |
| 第一發(fā)明人: | 劉 明 李穎弢 龍世兵 王 琴 劉 琦 張 森 王 艷 左青云 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及一種摻雜ZrO2阻變存儲器及其制作方法，屬于信息存儲技術(shù) 領(lǐng)域。所述存儲器包括上電極、下電極以及位于所述上電極和下電極之間的 電阻轉(zhuǎn)變存儲層，所述下電極由Al制成，所述電阻轉(zhuǎn)變存儲層由Cu摻雜ZrO2 制成。本發(fā)明的摻雜ZrO2阻變存儲器的結(jié)構(gòu)簡單，采用金屬活性較強(qiáng)的Al 作為下電極，可以吸收電阻轉(zhuǎn)變存儲層內(nèi)ZrO2中的氧離子，在ZrO2中形成大 量的氧空位，當(dāng)器件第一次由高阻態(tài)向低阻態(tài)轉(zhuǎn)變時，不再需要一個高的操 作電壓來激活器件，從而消除阻變存儲器第一次由高阻態(tài)向低阻態(tài)轉(zhuǎn)變時所 需要的Forming過程。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出