| 專利名稱: | 一種電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910302914.2 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-06-04 |
| 專利號(hào): | CN101577310 |
| 第一發(fā)明人: | 劉 明 李穎弢 龍世兵 王 琴 劉 琦 張 森 王 艷 左青云 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及一種電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器及其制作方法，屬于信息存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域。所述存儲(chǔ)器 包括上電極、下電極以及位于所述上電極和下電極之間的電阻轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)層，所述上電極和下 電極均由功函數(shù)為4.5電子伏～6電子伏的材料制成，所述電阻轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)層為由P型半導(dǎo)體二 元金屬氧化物制成的薄膜。本發(fā)明電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，采用功函數(shù)較高的材料制 成上電極和下電極，并采用P型半導(dǎo)體氧化物制成的薄膜作為電阻轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)層，使得上電極 和下電極與電阻轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)層界面能夠形成歐姆接觸或者低肖特基接觸，使得存儲(chǔ)器器件在較 低的操作電壓下就可以實(shí)現(xiàn)高阻態(tài)和低阻態(tài)之間的轉(zhuǎn)變，因此可以降低存儲(chǔ)器器件的操作電 壓。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出