| 專利名稱: | 一次編程存儲(chǔ)器及其制造方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910303069.0 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-06-09 |
| 專利號(hào): | CN101577311 |
| 第一發(fā)明人: | 劉 明 左青云 龍世兵 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及一次編程存儲(chǔ)器及其制造方法，屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域。該一次編程存儲(chǔ)器包 括下電極、上電極以及位于上電極和下電極之間的功能層薄膜；上電極或下電極與功能層薄 膜之間接觸形成整流特性。該一次編程存儲(chǔ)器的制造方法包括：形成作為下電極的襯底；在 襯底上形成功能層薄膜；在功能層薄膜上進(jìn)行光刻并淀積導(dǎo)電材料，剝離后形成上電極；上 電極或下電極與功能層薄膜之間接觸形成整流特性。本發(fā)明降低了存儲(chǔ)器的制作成本，有利 于存儲(chǔ)器的集成和使用；存儲(chǔ)器器件能夠采用交叉陣列結(jié)構(gòu)集成，提高了存儲(chǔ)器密度；存儲(chǔ) 器本身具有整流作用，無需外加的整流器件，消除外加整流器件對(duì)存儲(chǔ)器的影響，抑制讀串 擾。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出