| 專利名稱: | 一種二元金屬氧化物阻變存儲器及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910302938.8 |
| 申請日期: | 2009-06-04 |
| 專利號: | CN101587937 |
| 第一發(fā)明人: | 劉 明 李穎弢 龍世兵 王 琴 左青云 王 艷 劉 琦 張 森 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及一種二元金屬氧化物阻變存儲器及其制作方法，屬于信息存儲技術(shù)領(lǐng)域。所 述方法包括：在襯底上形成下電極；在所述下電極上形成電阻轉(zhuǎn)變存儲層；在惰性氣體的環(huán) 境下并于100℃～1000℃下對所述電阻轉(zhuǎn)變存儲層進(jìn)行退火處理；在所述電阻轉(zhuǎn)變存儲層上 形成上電極即可。本發(fā)明的制作方法簡單、成本低并且與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容，采用金屬摻雜 的二元金屬氧化物作為電阻轉(zhuǎn)變存儲層，再經(jīng)過退火處理，不僅可以使二元金屬氧化物薄膜 結(jié)晶，而且還可以在二元金屬氧化物中形成大量的金屬缺陷，在器件第一次由高阻態(tài)向低阻 態(tài)轉(zhuǎn)變時，不再需要一個高的操作電壓來激活器件，從而可以消除Forming現(xiàn)象。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出