| 專利名稱: | 一種掃描電鏡放大倍率校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)樣品的制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910303914.4 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-07-01 |
| 專利號(hào): | CN101598645 |
| 第一發(fā)明人: | 趙 珉 陳寶欽 劉 明 牛潔斌 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種掃描電鏡放大倍率校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)樣品的制作方法，屬于納米圖案加工技術(shù) 領(lǐng)域。所述方法包括：將硅襯底表面進(jìn)行處理，并在硅襯底上涂覆電子束光刻抗蝕劑；將涂 覆有電子束光刻抗蝕劑的硅襯底進(jìn)行烘烤；對(duì)烘烤后的硅襯底進(jìn)行單線曝光模式下的電子束 直寫(xiě)曝光；對(duì)電子束直寫(xiě)曝光后的硅襯底進(jìn)行顯影、定影、干燥及退火處理，并在處理后的 硅襯底表面覆蓋金屬薄膜，形成掃描電鏡放大倍率校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)樣品。本發(fā)明避免了等離子體刻 蝕工藝帶來(lái)的圖形質(zhì)量下降，有利于高分辨率密集線圖形結(jié)構(gòu)的制作，有利于電子束曝光極 限分辨率的實(shí)現(xiàn)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出