| 專利名稱: | 用于MOS器件的金屬柵極結(jié)構(gòu)及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910303980.1 |
| 申請日期: | 2009-07-03 |
| 專利號: | CN101599436 |
| 第一發(fā)明人: | 王文武 陳世杰 陳大鵬 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種用于MOS器件的金屬柵極結(jié)構(gòu)及其制作方法，屬于微電子技術(shù)中的MOS 器件技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：在襯底上形成界面層；在界面層上形成高介電常數(shù)柵介質(zhì)層 ；在高介電常數(shù)柵介質(zhì)層上形成金屬柵極材料層；對于界面層、高介電常數(shù)柵介質(zhì)層和金屬 柵極材料層進(jìn)行金屬化后退火處理，以形成金屬柵極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過對金屬柵極結(jié)構(gòu)進(jìn)行 金屬化后退火處理，能夠形成高質(zhì)量、低缺陷金屬柵極結(jié)構(gòu)，并避免在退火過程中氧擴(kuò)散到 SiO2/Si界面與襯底硅反應(yīng)形成SiO2，從而使整個金屬柵極結(jié)構(gòu)的等效氧化層厚度保持較小 ，以滿足MOS器件的性能要求。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出