| 專利名稱: | 一種制作200nm柵長(zhǎng)GaAs基MHEMT器件的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810115563.X |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-06-25 |
| 專利號(hào): | CN101615580 |
| 第一發(fā)明人: | 黎 明 張海英 付曉君 徐靜波 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種制作200nm柵長(zhǎng)GaAs基MHEMT器件的方法，包 括：在MHEMT材料外延結(jié)構(gòu)上制備源漏電極；在制備了源漏電極的 MHEMT材料外延結(jié)構(gòu)上對(duì)有源區(qū)進(jìn)行腐蝕隔離，形成隔離臺(tái)面；采用三 層涂膠工藝，利用電子束光刻技術(shù)，制作出200nm的T型柵，并采用檸 檬酸系溶液腐蝕柵槽，蒸發(fā)Ti/Pt/Au作為柵極金屬；光刻布線，蒸發(fā)布線 金屬Ti//Au，丙酮浸泡剝離，完成200nm柵長(zhǎng)GaAs基MHEMT器件的制 作。利用本發(fā)明，制作出了T型柵結(jié)構(gòu)GaAs基MHEMT器件，獲得了優(yōu) 越的直流、高頻和功率性能，為進(jìn)一步研究高性能GaAs基MHEMT器件 奠定了基礎(chǔ)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出