| 專利名稱: | GaAs基E/D PHEMT單片集成微波開關(guān)及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810115564.4 |
| 申請日期: | 2008-06-25 |
| 專利號(hào): | CN101615708 |
| 第一發(fā)明人: | 黎 明 張海英 付曉君 徐靜波 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開一種GaAs基E/D PHEMT單片集成微波開關(guān)及其制作方 法。該單片集成微波開關(guān)由基于全耗盡型的GaAs PHEMT單刀雙擲開關(guān) 和基于DCFL的反相器構(gòu)成，該單刀雙擲開關(guān)和反相器單片集成，單刀雙 擲開關(guān)的控制信號(hào)端與反相器的輸入端和輸出端連接，且該單片集成微波 開關(guān)采用0V和-3V分別作為高低電平，反相器的VDD直流端接0V，原 接地端接-3V。本發(fā)明成功的將全耗盡型微波開關(guān)與反相器集成于同一芯 片內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了邏輯電路與開關(guān)電路的集成，整個(gè)電路只需要1位控制信號(hào)， 有效的減少了開關(guān)電路的控制端口數(shù)目，節(jié)省了芯片面積，為將來采用 E/D HEMT技術(shù)實(shí)現(xiàn)更大規(guī)模、更復(fù)雜電路集成奠定了良好基礎(chǔ)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出