| 專利名稱: | 一種HfSiON高K柵介質(zhì)材料的腐蝕劑及腐蝕方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910304802.0 |
| 申請日期: | 2009-07-24 |
| 專利號(hào): | CN101619457 |
| 第一發(fā)明人: | 李永亮 徐秋霞 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
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| 實(shí)施情況: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及一種HfSiON高K柵介質(zhì)材料的腐蝕劑及使用該腐蝕劑的腐蝕方法，屬于集成 電路制造技術(shù)領(lǐng)域。所述腐蝕劑按其重量百分比計(jì)包括0.19％～4.83％的氫氟酸。所述使用該 腐蝕劑的腐蝕方法包括將HfSiON高K柵介質(zhì)材料形成于Si襯底、Si/SiO2界面層或者Si/SiON 界面層上后，將其浸泡在所述的腐蝕劑中進(jìn)行濕法腐蝕。采用本發(fā)明腐蝕劑對HfSiON高K柵 介質(zhì)材料進(jìn)行腐蝕時(shí)，可降低氫氟酸水解，從而提高HfSiON高K柵介質(zhì)材料的腐蝕速度并降 低對場氧區(qū)SiO2的腐蝕速度，進(jìn)而提高HfSiON對場氧區(qū)SiO2的選擇比。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出