| 專利名稱: | 一種高K金屬柵結(jié)構(gòu)的刻蝕方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910304819.6 |
| 申請日期: | 2009-07-24 |
| 專利號: | CN101620997 |
| 第一發(fā)明人: | 董立軍 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及一種高K金屬柵結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。所述高K金屬柵 結(jié)構(gòu)的刻蝕方法包括以下步驟：在所述多晶硅層的表面沉積薄膜后，在所述薄膜的表面旋涂 光刻膠，再通過刻蝕形成硬掩膜構(gòu)成不需要刻蝕的保護(hù)區(qū)域、需要刻蝕的第一區(qū)域和需要刻 蝕的第二區(qū)域；通過濺射刻蝕將所述需要刻蝕的第一區(qū)域刻蝕掉；通過反應(yīng)離子刻蝕將所述 需要刻蝕的第二區(qū)域刻蝕掉。本發(fā)明使用先通過濺射法物理刻蝕再反應(yīng)離子刻蝕的方法來刻 蝕高K金屬柵結(jié)構(gòu)，既利用了物理刻蝕的良好的方向性，同時也利用了反應(yīng)離子刻蝕的終點 檢測的優(yōu)勢，可以獲得很好的自停止效果，從而使得高K金屬柵結(jié)構(gòu)可以形成側(cè)壁陡直的柵 圖形。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出