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專(zhuān)利名稱(chēng): 一種制作部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)的方法
專(zhuān)利類(lèi)別:
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: 200810116043.0
申請(qǐng)日期: 2008-07-02
專(zhuān)利號(hào): CN101621009
第一發(fā)明人: 宋文斌 畢津順 韓鄭生
其它發(fā)明人:
國(guó)外申請(qǐng)日期:
國(guó)外申請(qǐng)方式:
專(zhuān)利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實(shí)施情況:
專(zhuān)利證書(shū)號(hào):
專(zhuān)利摘要: 本發(fā)明公開(kāi)了一種制作部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)的方法，包括：
選用P<100>SOI外延片，并對(duì)該SOI外延片進(jìn)行第一次Trench腐蝕；進(jìn)
行第二次Trench腐蝕形成源引出端和體引出端的隔離，在溝槽下方與BOX
層之間留出空間，為側(cè)向體接觸保留體引出通道；全部剝離SiN，生長(zhǎng)SiO2
掩蔽膜，刻蝕該SiO2掩蔽膜，形成兩個(gè)局部埋氧層的注入窗口；進(jìn)行局部
埋氧層注入，形成源漏下方局部埋氧層；光刻形成有源區(qū)，兩次調(diào)柵注入
后通過(guò)犧牲氧化控制硅膜厚度，生長(zhǎng)柵氧，淀積多晶硅，光刻多晶硅柵，
LDD注入，側(cè)墻隔離，源漏端注入形成漏端和源端，體引出端注入，源漏
金屬硅化物，淀積PMD和平坦化；光刻與刻蝕接觸孔，淀積金屬層，形
成壓焊點(diǎn)層，合金，并進(jìn)行背面處理。
其它備注: