| 專利名稱: | 采用局部二次摻雜工藝調(diào)整變?nèi)荻O管特性的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810116044.5 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-07-02 |
| 專利號(hào): | CN101621027 |
| 第一發(fā)明人: | 王顯泰 金 智 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種采用局部二次摻雜工藝調(diào)整變?nèi)荻O管特性的方 法，該方法包括：選擇HBT材料的B-C結(jié)制作變?nèi)荻O管，利用HBT中 基極層材料的高摻雜特征，使接觸金屬不經(jīng)過(guò)高溫金屬化工藝或者快速金 屬化工藝可形成歐姆接觸；采用耐高溫和多次加厚的掩膜層來(lái)保護(hù)無(wú)需二 次摻雜的區(qū)域，利用離子注入設(shè)備對(duì)變?nèi)荻O管材料區(qū)域進(jìn)行摻雜元素二 次摻雜，調(diào)整變?nèi)荻O管材料區(qū)域摻雜組分至適于制作變?nèi)荻O管的超突 變結(jié)狀態(tài)，同時(shí)使無(wú)需二次摻雜的區(qū)域不受該二次摻雜的影響。本發(fā)明對(duì) 需優(yōu)化性能的二極管器件材料區(qū)域進(jìn)行二次摻雜，同時(shí)保護(hù)電路其他區(qū)域 的特性，使在同一片半導(dǎo)體材料可以在滿足其他器件需求的同時(shí)，可以制 作高質(zhì)量的變?nèi)荻O管。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出