| 專利名稱: | 一種絕緣體上硅器件及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910305117.X |
| 申請日期: | 2009-08-03 |
| 專利號: | CN101621064 |
| 第一發(fā)明人: | 畢津順 海潮和 韓鄭生 羅家俊 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及一種絕緣體上硅器件及其制備方法，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。所述絕緣體 上硅器件為采用p型絕緣體上硅晶圓制備的絕緣體上硅器件，包括p型底部硅襯底、埋氧層以 及形成于頂層硅膜內(nèi)的N型場效應(yīng)晶體管和P型場效應(yīng)晶體管，所述N型場效應(yīng)晶體管和P型場 效應(yīng)晶體管分別位于體區(qū)中，均包括漏極、源極、柵極和體引出部分；所述包含N型場效應(yīng) 晶體管的體區(qū)和包含P型場效應(yīng)晶體管體區(qū)之間是電學(xué)隔離的。本發(fā)明的絕緣體上硅器件可 以有效地抑制浮體效應(yīng)，源漏對稱，無額外寄生電容，在保持SOI電路優(yōu)勢的同時(shí)，可以最 大程度地與主流體硅工藝和設(shè)計(jì)兼容。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出