| 專利名稱: | 在厚負性高分辨率電子束抗蝕劑HSQ上制作密集圖形的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810116381.4 |
| 申請日期: | 2008-07-09 |
| 專利號: | CN101625522 |
| 第一發(fā)明人: | 趙 珉 朱效立 陳寶欽 劉 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及納米加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種在厚負性高分辨率電子束 抗蝕劑HSQ上制作密集圖形的方法，包括：A.對襯底進行表面清潔及熱 處理；B.在襯底上涂敷負性高分辨率電子束抗蝕劑HSQ厚膠層；C.對 涂敷了HSQ厚膠層的襯底進行前烘；D.對HSQ厚膠層進行密集圖形的 電子束直寫曝光；E.顯影的準備工作及實施顯影；F.定影及干燥；G. 進行后續(xù)的圖形轉(zhuǎn)移工藝。利用本發(fā)明，抑制了背散射效應對低靈敏度負 性抗電子束蝕劑層上制作密集圖形時尤為嚴重的鄰近效應的影響，并且避 免由于抗蝕劑層應力、缺陷，以及顯影氣泡等因素造成的光刻圖形漂移或 倒塌的現(xiàn)象，使得利用負性高分辨率電子束抗蝕劑HSQ制作密集圖形的 厚膠工藝實用化。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出