| 專利名稱: | 互補(bǔ)型CMOS基準(zhǔn)電壓源 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910304798.8 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-07-24 |
| 專利號(hào): | CN101625575 |
| 第一發(fā)明人: | 范 濤 袁國(guó)順 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種互補(bǔ)型CMOS基準(zhǔn)電壓源，屬于電源及微電子技術(shù)領(lǐng)域。所述CMOS基準(zhǔn) 電壓源包括：參考電流產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生參考電流；NMOS管補(bǔ)償產(chǎn)生電路，用于復(fù)制參考 電流作為漏電流，產(chǎn)生與溫度成反比例變化的柵源電壓；PMOS管補(bǔ)償產(chǎn)生電路，用于復(fù)制參 考電流作為漏電流，產(chǎn)生與溫度成正比例變化的柵源電壓；比例求和電路，用于將正比例變 化的柵源電壓和反比例變化的柵源電壓進(jìn)行比例求和，產(chǎn)生不隨溫度變化的電壓。本發(fā)明提 供的純CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)，利用NMOS和PMOS晶體管的不同漏電流區(qū)域的溫度特 性，將正比例變化的柵源電壓和反比例變化的柵源電壓進(jìn)行比例求和，產(chǎn)生不隨溫度變化的 參考電壓。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出