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專利名稱: 一種基于AlGaN的全波段紫外探測器及其制備方法
專利類別:
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: 200910306635.3
申請(qǐng)日期: 2009-09-07
專利號(hào): CN101645471
第一發(fā)明人: 白 云 劉 鍵 麻 芃 朱 杰 饒志鵬 劉新宇 郭麗偉
其它發(fā)明人:
國外申請(qǐng)日期:
國外申請(qǐng)方式:
專利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實(shí)施情況:
專利證書號(hào):
專利摘要: 本發(fā)明涉及一種基于AlGaN的全波段紫外探測器及其制備方法,屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)
域。所述探測器包括藍(lán)寶石襯底,以及在所述藍(lán)寶石襯底上依次排列生長的AlN緩沖層、
Al0.65Ga0.35N層、兩個(gè)Al0.45Ga0.55N層、兩個(gè)Al0.2Ga0.8N層和兩個(gè)GaN層,其中,Al0.45Ga0.55N層
和其相鄰的一個(gè)層之間形成一個(gè)pn結(jié),Al0.2Ga0.8N層和其相鄰的一個(gè)層之間形成一個(gè)pn結(jié),
GaN層和其相鄰的一個(gè)層之間形成一個(gè)pn結(jié)。本發(fā)明的全波段紫外探測器可以實(shí)現(xiàn)在一套系
統(tǒng)內(nèi)根據(jù)要求進(jìn)行不同波段之間的轉(zhuǎn)換探測,減少了使用成本,便于在實(shí)際工作中進(jìn)行操作

其它備注: