| 專利名稱: | 一種GaN HEMT器件的肖特基參數(shù)提取方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910092439.0 |
| 申請日期: | 2009-09-08 |
| 專利號: | CN101655883 |
| 第一發(fā)明人: | 王鑫華 趙妙 劉新宇 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及一種GaN HEMT器件的肖特基參數(shù)提取方法，屬于半導體器 件技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括以下步驟：分析所述肖特基正向I-V特性曲線中 的第三段曲線對應的物理過程，所述第三段曲線對應了電壓全部施加在所述 第一二極管上產(chǎn)生電流的物理過程，此時電壓不再施加在所述第二二極管 上，所述第三段曲線包括一段線性區(qū)；對所述第三段曲線進行線性擬合得到 斜率為k3的直線，根據(jù)所述直線的斜率k3，求出第一二極管的肖特基接觸的 理想因子n1和實際勢壘高度φ1。本發(fā)明的參數(shù)提取方法是針對GaN HEMT器件 高溫存儲后肖特基正向I-V特性曲線出現(xiàn)凹進的新現(xiàn)象而提出的，應用所述 方法提取的參數(shù)值與實際值基本吻合。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出