| 專利名稱: | 一種選擇性去除TaN金屬柵電極層的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910307689.1 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-09-25 |
| 專利號(hào): | CN101656208 |
| 第一發(fā)明人: | 李永亮 徐秋霞 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及一種選擇性去除TaN金屬柵電極層的方法，屬于集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域。所 述方法包括以下步驟：在半導(dǎo)體襯底上形成高K柵介質(zhì)層；在所述高K柵介質(zhì)層上形成TaN金 屬柵電極層，并在其上形成非晶硅硬掩膜；采用干法刻蝕所述非晶硅硬掩膜形成硬掩膜的圖 形；采用濕法腐蝕對(duì)未被所述硬掩膜的圖形覆蓋的TaN金屬柵電極層進(jìn)行選擇性腐蝕；采用 濕法腐蝕去除所述硬掩膜的圖形。本發(fā)明以非晶硅為硬掩膜，采用濕法腐蝕TaN金屬柵電極 層時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)高選擇比的TaN金屬柵電極層的去除；另外，采用濕法腐蝕液去除剩余的非 晶硅硬掩膜時(shí)，對(duì)TaN金屬柵電極層和高K柵介質(zhì)層的選擇比很高，不存在兼容性問題。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出