| 專利名稱: | 金屬環(huán)形柵有機(jī)晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810118730.6 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-08-20 |
| 專利號(hào): | CN101656295 |
| 第一發(fā)明人: | 商立偉 劉明 涂德鈺 甄麗娟 劉舸 劉興華 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種金屬環(huán)形柵有機(jī)晶體管結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括：絕緣襯 底、在該絕緣襯底表面制備的環(huán)形柵電極、在該絕緣襯底表面及環(huán)形柵電 極上制備的柵介質(zhì)層、在柵介質(zhì)層上制備的有機(jī)半導(dǎo)體層，以及在該有機(jī) 半導(dǎo)體層圓形表面制備的圓形源電極和環(huán)形漏電極。本發(fā)明同時(shí)公開了一 種制備金屬環(huán)形柵有機(jī)晶體管結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括：在絕緣襯底上制 備環(huán)形柵電極；在絕緣襯底表面及該環(huán)形柵電極上制備柵介質(zhì)層；在該柵 介質(zhì)層上制備有機(jī)半導(dǎo)體層；在該有機(jī)半導(dǎo)體上制備圓形源電極和環(huán)形漏 電極。利用本發(fā)明，通過改變電極的尺寸比例就可以很好地控制器件的工 作電流密度和閾值電壓，通過嵌入式的電極結(jié)構(gòu)提高了器件的集成度，能 夠和現(xiàn)有的硅微加工技術(shù)兼容。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出