| 專利名稱: | 一種提高GaN HEMT退火成功率的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910091630.3 |
| 申請日期: | 2009-08-26 |
| 專利號: | CN101661877 |
| 第一發(fā)明人: | 王鑫華 趙妙 劉新宇 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及一種提高GaN HEMT退火成功率的方法，屬于半導(dǎo)體器件技 術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：測量GaN HEMT的肖特基反向特性曲線；根據(jù)測得 的肖特基反向特性曲線，繪制以ln|I|為縱坐標，Vr1/4為橫坐標的電流電壓 曲線；根據(jù)位于小于器件閾值電壓區(qū)域內(nèi)的電流電壓曲線形狀，判斷是否對 GaN HEMT進行退火。本發(fā)明通過根據(jù)肖特基反向特性曲線繪制的電流電壓曲 線，對GaN HEMT退火后其直流特性能否上升進行判斷，從而選擇性地對器 件進行退火，以降低退火后器件失效的數(shù)量，提高器件的退火成功率，同時 節(jié)約了成本。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出