| 專利名稱: | 已減薄或劃片的氮化鎵基場效應管的退火處理方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910307846.9 |
| 申請日期: | 2009-09-28 |
| 專利號: | CN101661885 |
| 第一發(fā)明人: | 趙妙 王鑫華 劉新宇 魏珂 鄭英奎 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明提出了一種已減薄或劃片的氮化鎵基場效應管的退火處理方法，屬于半導體技術 領域。所述方法包括：采用丙酮和乙醇對已減薄或劃片的氮化鎵基場效應管進行清洗處理； 將清洗處理后的氮化鎵基場效應管置于保護性氣體中進行退火處理，退火處理的溫度為 200-400℃，退火時間為30-60小時。通過本發(fā)明的上述技術方案，采用長時間的慢退火方法 處理氮化鎵基場效應管，可以解決目前因進行減薄、劃片后導致的場效應管直流性能退化的 問題，并且器件直流性能的提高將進而提高器件的功率性能，而且氮化鎵基場效應晶體管在 退火后特性參數(shù)得到了穩(wěn)定，進而提高了器件的可靠性。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出