| 專利名稱: | 一種微波單片集成電路中的金屬布線層結(jié)構(gòu)及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910307518.9 |
| 申請日期: | 2009-09-23 |
| 專利號: | CN101661921 |
| 第一發(fā)明人: | 蒲顏 羅衛(wèi)軍 陳曉娟 魏珂 劉新宇 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及一種微波單片集成電路中的金屬布線層結(jié)構(gòu)及其制備方法，屬于集成電路技 術(shù)領(lǐng)域。所述金屬布線層結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一Si3N4層和第二Si3N4層之間，包括第一Ti層、設(shè)置 在第一Ti層上的Ni層、設(shè)置在Ni層上的第二Ti層、設(shè)置在第二Ti層上的Au層、以及設(shè)置在Au 層上的第三Ti層。本發(fā)明金屬布線層結(jié)構(gòu)中的金屬Ni在通過ICP刻蝕襯底后，可以保護布線 層及以上部分，使得MMIC背孔工藝可以順利進行，并且這種結(jié)構(gòu)中的上下兩層金屬Ti改善了 與Si3N4介質(zhì)層的粘附性，提高了電容的性能，同時整個結(jié)構(gòu)對電容值的影響不大，金屬Ni 上面一層金屬Ti的引入可以改善金屬Ni與金屬Au的粘附性不好的問題。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出