| 專利名稱: | 應(yīng)用于有機(jī)電路的雙金屬電極結(jié)構(gòu)及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810119085.X |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-08-28 |
| 專利號(hào): | CN101661993 |
| 第一發(fā)明人: | 商立偉 劉明 涂德鈺 甄麗娟 劉舸 劉興華 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種應(yīng)用于有機(jī)電路的雙金屬電極結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)由有機(jī) 半導(dǎo)體薄膜、第一層金屬薄膜和沉積在該第一層金屬薄膜上的第二層金屬 薄膜構(gòu)成。對(duì)于頂接觸式器件結(jié)構(gòu)，該第一層金屬薄膜為高功函數(shù)金屬薄 膜，該第二層金屬薄膜為廉價(jià)金屬薄膜，該第一層金屬薄膜與有機(jī)半導(dǎo)體 薄膜直接接觸，該第二層金屬薄膜與互連線接觸。對(duì)于底接觸式器件結(jié)構(gòu)， 該第一層金屬薄膜為廉價(jià)金屬薄膜，該第二層金屬薄膜為高功函數(shù)金屬薄 膜，該第二層金屬薄膜與有機(jī)半導(dǎo)體薄膜直接接觸，且該第二層金屬薄膜 與互連線接觸。本發(fā)明同時(shí)公開(kāi)了一種應(yīng)用于有機(jī)電路的雙金屬電極結(jié)構(gòu) 的制備方法。利用本發(fā)明，能夠在不降低器件性能前提下多方面降低成本， 推動(dòng)有機(jī)電路的實(shí)用化。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出