| 專利名稱: | 針對Ku波段內(nèi)匹配場效應(yīng)晶體管的偏置電路 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810118973.X |
| 申請日期: | 2008-08-27 |
| 專利號: | CN101662263 |
| 第一發(fā)明人: | 陳高鵬 陳曉娟 劉新宇 李濱 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種針對Ku波段內(nèi)匹配場效應(yīng)晶體管的偏置電路，其 特征在于，該偏置電路由微帶短截線結(jié)構(gòu)的柵極偏置電路、Ku波段內(nèi)匹 配場效應(yīng)晶體管和雙段式微帶短截線結(jié)構(gòu)的漏極偏置電路構(gòu)成，其中，該 微帶短截線結(jié)構(gòu)的柵極偏置電路連接于該Ku波段內(nèi)匹配場效應(yīng)晶體管的 柵極，該雙段式微帶短截線結(jié)構(gòu)的漏極偏置電路連接于該Ku波段內(nèi)匹配 場效應(yīng)晶體管的漏極。本發(fā)明可以有效抑制Ku波段微波功率放大器中常 見的低頻振蕩，提高放大器穩(wěn)定性，拓寬偏置電路帶寬，只引入很低的插 入損耗。本發(fā)明可用于任何基于內(nèi)匹配場效應(yīng)晶體管的Ku波段微波功率 放大器。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出