| 專利名稱: | 放電設(shè)備 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910180039.5 |
| 申請日期: | 2009-10-23 |
| 專利號: | CN101668378 |
| 第一發(fā)明人: | 楊景華 張超前 趙玲利 王守國 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明提供了一種放電設(shè)備，屬于等離子體技術(shù)領(lǐng)域。所述放電設(shè)備包括：電極 陣列，設(shè)置成圓弧狀，并連接至高頻脈沖電源；圓滾軸，由金屬制成，并設(shè)置成與圓 弧狀的電極陣列同圓心，用于在接通高頻脈沖電源時(shí)，在其與電極陣列之間進(jìn)行放電。 本發(fā)明提供的放電設(shè)備可以在大氣壓下產(chǎn)生低溫均勻準(zhǔn)輝光等離子體放電通道，可以 對穿過等離子體放電區(qū)域的各種薄膜材料進(jìn)行表面改性或接枝處理。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出