| 專利名稱: | 一種采用X射線曝光制作聲表面波器件的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810222328.2 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-09-17 |
| 專利號(hào): | CN101677231 |
| 第一發(fā)明人: | 趙以貴 李晶晶 朱效立 牛潔斌 劉明 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種采用X射線曝光制作聲表面波器件的方法，該方法 是利用電子束光刻在鏤空的聚酰亞胺自支撐薄膜上制作叉指換能器的母 版，再利用X射線曝光在壓電襯底上獲得叉指換能器的電子抗蝕劑凹立圖 形，然后再用剝離工藝制作各種聲表面波器件。利用本發(fā)明，可以極大地 減小電極材料的背散射效應(yīng)，得到納米尺度的叉指換能器電極，進(jìn)一步提 高聲表面波器件的工作頻率和性能。另外，還可以反復(fù)多次進(jìn)行X射線曝 光，提高了制作效率，極大減小了制作成本。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出