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專(zhuān)利名稱(chēng): 提高氮化鎵基場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基勢(shì)壘的方法
專(zhuān)利類(lèi)別:
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: 200910303939.4
申請(qǐng)日期: 2009-07-02
專(zhuān)利號(hào): CN101707184A
第一發(fā)明人: 趙妙 王鑫華 劉新宇 李誠(chéng)瞻 魏珂 鄭英奎
其它發(fā)明人:
國(guó)外申請(qǐng)日期:
國(guó)外申請(qǐng)方式:
專(zhuān)利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實(shí)施情況:
專(zhuān)利證書(shū)號(hào):
專(zhuān)利摘要: 本發(fā)明公開(kāi)了一種提高氮化鎵基場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基勢(shì)壘的方法，屬于半導(dǎo)體材料器件制作技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：對(duì)氮化鎵基場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行清洗；在氮?dú)獗Ｗo(hù)下對(duì)清洗后的所述氮化鎵基場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行高溫存儲(chǔ)。通過(guò)本發(fā)明，提高了氮化鎵基場(chǎng)效應(yīng)晶體管的肖特基勢(shì)壘高度，降低了氮化鎵基場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基的反向漏電，提高了氮化鎵基場(chǎng)效應(yīng)晶體管的功率特性和擊穿特性，解決了氮化鎵基場(chǎng)效應(yīng)晶體管在工作中參數(shù)漂移的問(wèn)題，提高了氮化鎵基場(chǎng)效應(yīng)晶體管的穩(wěn)定性和可靠性。
其它備注: