| 專利名稱: | 一種柵介質(zhì)/金屬柵集成結(jié)構(gòu)的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810224908.5 |
| 申請日期: | 2008-10-24 |
| 專利號: | CN101728257A |
| 第一發(fā)明人: | 徐秋霞 許高博 柴淑敏 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種HfLaON柵介質(zhì)/TaN金屬柵集成結(jié)構(gòu)的制備方法，步驟為：(1)在常規(guī)清洗后，在氫氟酸/異丙醇/水溶液中浸泡，以抑制顆粒和自然氧化物的生長；(2)緊接著用RTA生長超薄界面氧化層SiOx或氮氧化層SiON；(3)采用PVD方法，利用磁控反應濺射工藝交替濺射Hf-La靶和Hf靶淀積HfLaON高介電常數(shù)(K)柵介質(zhì)；(4)淀積HfLaON后，快速熱退火；(5)采用PVD方法，磁控反應濺射TaN金屬薄膜；(6)TaN金屬電極和背面歐姆接觸形成后，進行合金退火處理。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出