| 專利名稱: | 一種制作頂柵氧化鋅納米線場效應晶體管的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810224905.1 |
| 申請日期: | 2008-10-24 |
| 專利號: | CN101728271A |
| 第一發(fā)明人: | 徐靜波 黎明 付曉君 張海英 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種制作頂柵氧化鋅納米線場效應晶體管的方法，該方法包括：在襯底表面制作定位標記；將氧化鋅納米線轉(zhuǎn)移和淀積至襯底表面；對氧化鋅納米線進行定位；制作源漏電極；制作柵氧介質(zhì)；制作頂柵電極，形成頂柵氧化鋅納米線場效應晶體管。本發(fā)明利用ZnO納米線材料，經(jīng)過上述工藝流程，實現(xiàn)了頂柵ZnO納米線場效應晶體管的制作。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出