| 專利名稱: | 一種制作背柵氧化鋅納米線場效應(yīng)晶體管的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810224906.6 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-10-24 |
| 專利號(hào): | CN101728272A |
| 第一發(fā)明人: | 徐靜波 黎明 付曉君 張海英 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種制作背柵氧化鋅納米線場效應(yīng)晶體管的方法，包括：選擇襯底，在襯底的正面沉積柵氧介質(zhì)；在襯底的背面蒸發(fā)金屬，形成背柵電極；在襯底正面沉積的柵氧介質(zhì)上制作定位標(biāo)記；將氧化鋅納米線轉(zhuǎn)移和淀積至已完成定位標(biāo)記制作的襯底的正面；定位氧化鋅納米線；制作源漏電極，形成背柵氧化鋅納米線場效應(yīng)晶體管。本發(fā)明利用ZnO納米線材料，經(jīng)過上述工藝流程，實(shí)現(xiàn)了背柵ZnO納米線場效應(yīng)晶體管的制作。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出