| 專利名稱: | 一種制備金屬性金屬氮化物薄膜的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810226687.5 |
| 申請日期: | 2008-11-19 |
| 專利號: | CN101740369A |
| 第一發(fā)明人: | 陳世杰 王文武 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種制備金屬性金屬氮化物薄膜的方法，該方法包括：采用化學(xué)方法制備絕緣性金屬氮化物薄膜；用Ar離子轟擊該絕緣性金屬氮化物薄膜表面，減小該絕緣性金屬氮化物薄膜中氮元素的含量，將該絕緣性金屬氮化物薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘傩越饘俚锉∧?。利用本發(fā)明，可以有效地調(diào)節(jié)某些金屬氮化物薄膜的原子組分，進而改性該薄膜的物理及電學(xué)特性，這使得利用化學(xué)合成方法制備金屬氮化物柵電極的應(yīng)用成為可能。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出