| 專利名稱: | 高溫退火處理誘導(dǎo)相轉(zhuǎn)變合成金屬性氮化鉿薄膜的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810227479.7 |
| 申請日期: | 2008-11-26 |
| 專利號: | CN101740371A |
| 第一發(fā)明人: | 王文武 陳世杰 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種高溫退火處理誘導(dǎo)相轉(zhuǎn)變合成金屬性氮化鉿薄膜的方法，該方法包括：采用化學(xué)合成方法制備絕緣性金屬氮化鉿薄膜；采用高溫退火處理誘導(dǎo)相轉(zhuǎn)變，將該絕緣性金屬氮化鉿薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘傩越饘俚x薄膜。利用本發(fā)明，可以有效地使絕緣性金屬氮化鉿薄膜在高溫?zé)崽幚淼臈l件下發(fā)生相轉(zhuǎn)變，進(jìn)而改性該薄膜的物理及電學(xué)特性，這使得利用化學(xué)合成方法制備金屬氮化物柵電極的應(yīng)用成為可能。另外，本發(fā)明中涉及的高溫處理溫度為1000攝氏度左右，這和MOS晶體管中的源-漏極摻雜激活退火工藝的溫度相近，因此高溫誘導(dǎo)相轉(zhuǎn)變制備氮化物柵電極可以和源-漏極激活退火同時進(jìn)行，具有很好的工藝兼容性。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出