| 專利名稱: | 互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管器件及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810227483.3 |
| 申請日期: | 2008-11-26 |
| 專利號(hào): | CN101740570A |
| 第一發(fā)明人: | 王文武 陳世杰 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管器件及其制作方法。該CMOS晶體管器件包含硅襯底、第一晶體管和第二晶體管。本發(fā)明提供的這種具有主高k柵介質(zhì)層和超薄高k界面層結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)的CMOS晶體管器件及其制作方法，有效地解決32納米以下技術(shù)代CMOS器件中由于使用高k電介質(zhì)而帶來的高閾值電壓問題。采用本發(fā)明的CMOS器件結(jié)構(gòu)，通過在主高k層下方加入一層超薄高k界面層結(jié)構(gòu)來達(dá)到有效控制CMOS器件閾值電壓的目的。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出