| 專利名稱: | 基于襯底修飾制備各向異性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810227480.X |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-11-26 |
| 專利號(hào): | CN101740721A |
| 第一發(fā)明人: | 姬濯宇 商立偉 劉明 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種基于襯底修飾制備各向異性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的方法，是通過一次絕緣介質(zhì)層生長(zhǎng)、一次光刻、一次單層分子自組裝修飾襯底、一次有機(jī)半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)和一次金屬沉積，獲得各向異性的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管，具體包括以下步驟：在導(dǎo)電基底上生長(zhǎng)絕緣介質(zhì)層；在絕緣介質(zhì)層表面上旋涂光刻膠保護(hù)層，光刻得到有取向的絕緣介質(zhì)層圖形；利用化學(xué)氣相輸運(yùn)的方式在絕緣介質(zhì)層圖形區(qū)域選擇性地組裝一層單分子膜；沉積生長(zhǎng)有機(jī)半導(dǎo)體薄膜；通過鏤空的掩模版沉積生長(zhǎng)源漏金屬電極。本發(fā)明提供了一種工藝簡(jiǎn)單、人為可控性高、重復(fù)性好、均勻性高的制備高遷移率的各向異性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的方法。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出