| 專利名稱: | 采用納米光鑷技術(shù)將ZnO納米線定位到場效應(yīng)管襯底的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810238871.1 |
| 申請日期: | 2008-12-03 |
| 專利號: | CN101752249A |
| 第一發(fā)明人: | 黎明 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種采用納米光鑷技術(shù)將ZnO納米線定位到場效應(yīng)管襯底的方法，該方法包括：在襯底上涂一層光刻膠，用源漏陽版光刻顯影，形成按一定規(guī)律排列的源漏PAD；將ZnO納米線超聲降解于異丙醇溶液中，采用納米光鑷技術(shù)微操作ZnO納米線，移動ZnO納米線的位置，將ZnO納米線作為場效應(yīng)管的溝道與該源漏PAD的兩端形成歐姆接觸；再蒸發(fā)Ti/Au金屬形成源漏金屬PAD，實(shí)現(xiàn)將ZnO納米線定位到場效應(yīng)管的襯底。本發(fā)明具有成效明顯，工藝簡單易行，經(jīng)濟(jì)適用和可靠性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，易于在半導(dǎo)體器件制作中采用和推廣。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出