| 專利名稱: | 一種制備ZnO納米線場效應(yīng)晶體管的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810240079.X |
| 申請日期: | 2008-12-17 |
| 專利號: | CN101752250A |
| 第一發(fā)明人: | 黎明 徐靜波 付曉君 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種制備ZnO納米線場效應(yīng)晶體管的方法，該方法采用傳輸線法制備出按一定倍數(shù)規(guī)律排列的電極測試圖形，在該電極測試圖形上蒸發(fā)金屬Ti/Au形成監(jiān)測圖形，在器件制備過程中利用該監(jiān)測圖形對納米線與源漏電極金屬所形成的歐姆接觸性能進(jìn)行監(jiān)測，在歐姆接觸性能符合要求時繼續(xù)進(jìn)行源漏和背柵電極的制備，完成ZnO納米線場效應(yīng)晶體管的制備。本發(fā)明采用新穎的歐姆接觸監(jiān)測圖形對納米線和Ti電極之間的歐姆接觸情況進(jìn)行監(jiān)測，確保了Ti/Au源漏電極與ZnO溝道之間形成良好的歐姆接觸，為納米線場效應(yīng)晶體管的制備奠定了基礎(chǔ)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出