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專利名稱: 一種制備ZnO多溝道納米線場效應(yīng)晶體管的方法
專利類別:
申請?zhí)?/strong>: 200810240074.7
申請日期: 2008-12-17
專利號: CN101752256A
第一發(fā)明人: 黎明 徐靜波 付曉君
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況:
專利證書號:
專利摘要: 本發(fā)明公開了一種制備ZnO多溝道納米線場效應(yīng)晶體管的方法，包括：準備高摻雜的P++襯底；在高摻雜的P++襯底的正面蒸發(fā)一層SiO2形成柵氧；采用HF濕法腐蝕去掉高摻雜P++襯底背面的氧化層，背金形成柵極；在柵氧上光刻蒸發(fā)源漏金屬電極；采用乙醇水解超聲的方法使ZnO納米線從本征玻璃襯底上面剝離下來；將剝離下來的多條ZnO納米線隨機滴入P型Si襯底的源漏金屬電極上進行定位，使ZnO納米線作為場效應(yīng)晶體管的溝道將源漏電極搭接起來，形成ZnO多溝道納米線場效應(yīng)晶體管。本發(fā)明突破了單根納米線場效應(yīng)晶體管器件電流限制，獲得相對大的開態(tài)電流和提高不同器件的驅(qū)動電流能力，為進一步傳感器的制作打下堅實的基礎(chǔ)。
其它備注: