| 專利名稱: | 一種制備ZnO納米線懸浮的背柵場(chǎng)效應(yīng)管的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810240075.1 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-12-17 |
| 專利號(hào): | CN101752257A |
| 第一發(fā)明人: | 黎明 徐靜波 付曉君 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種制備ZnO納米線懸浮的背柵場(chǎng)效應(yīng)管的方法，包括：高摻雜的P++襯底準(zhǔn)備；在高摻雜的P++襯底的正面蒸發(fā)一層SiO2形成柵氧；采用HF濕法腐蝕去掉高摻雜P++襯底背面的氧化層，背金形成柵極；在柵氧上光刻蒸發(fā)源漏金屬電極；采用乙醇水解超聲的方法使ZnO納米線從本征玻璃襯底上面剝離下來；將剝離下來的單條ZnO納米線隨機(jī)滴入P型Si襯底的源漏金屬電極上進(jìn)行定位，使ZnO納米線作為場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道將源漏電極搭接起來，形成ZnO納米線懸浮的背柵場(chǎng)效應(yīng)管。本發(fā)明具有成效明顯，工藝簡(jiǎn)單易行，經(jīng)濟(jì)適用和可靠性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，容易在微波、毫米波化合物半導(dǎo)體器件制作中采用和推廣。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出