| 專利名稱: | 一種T形溝道的有機場效應晶體管的制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810240078.5 |
| 申請日期: | 2008-12-17 |
| 專利號: | CN101752503A |
| 第一發(fā)明人: | 劉舸 劉明 劉興華 商立偉 王宏 柳江 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種T形溝道的有機場效應晶體管的制作方法，該方法包括：在導電基底上生長絕緣介質薄膜；在絕緣介質薄膜表面上旋涂抗蝕劑，光刻得到T形溝道的底電極膠圖形；在T形溝道的底電極膠圖形表面蒸鍍一層金屬薄膜；用丙酮剝離掉光刻膠，形成底電極；沉積有機半導體薄膜，完成器件的制作。本發(fā)明通過改變器件溝道的形狀，在溝道內(nèi)產(chǎn)生不均勻的電場，且電場延著電極邊緣是逐漸減小的。不同的電場強度以及注入方向和溝道方向的變化有利于提高載流子的注入效率，從而提高器件的整體性能。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出