| 專利名稱: | 一種底電極結(jié)構(gòu)有機(jī)場效應(yīng)晶體管的制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810240082.1 |
| 申請日期: | 2008-12-17 |
| 專利號: | CN101752505A |
| 第一發(fā)明人: | 劉舸 劉明 劉興華 商立偉 王宏 柳江 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種底電極結(jié)構(gòu)有機(jī)場效應(yīng)晶體管的制作方法。該方法在電極和柵介質(zhì)層之間加一層真空蒸鍍的有機(jī)半導(dǎo)體材料。這層半導(dǎo)體材料減小了下電極與有機(jī)半導(dǎo)體層材料之間的接觸效應(yīng)從而提高的性能。這層有機(jī)半導(dǎo)體材料可以就是有源層材料也可以是類似的有機(jī)半導(dǎo)體材料。它們之間的功函數(shù)接近，且電極與有源層的接觸改變成一種頂電極接觸方式，有效注入面積更大。利用本發(fā)明，實(shí)現(xiàn)了使用傳統(tǒng)光刻工藝制作出具有頂電極結(jié)構(gòu)性能的有機(jī)場效應(yīng)晶體管。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出