| 專利名稱: | 一種修飾有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管底電極的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810240083.6 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-12-17 |
| 專利號(hào): | CN101752506A |
| 第一發(fā)明人: | 劉舸 劉明 劉興華 商立偉 王宏 柳江 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開(kāi)了一種修飾有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管底電極的方法，該方法包括：在導(dǎo)電基底上熱氧化生長(zhǎng)絕緣介質(zhì)薄膜；在絕緣介質(zhì)薄膜表面上旋涂抗蝕劑，光刻得到底電極膠圖形；真空蒸鍍一層有機(jī)半導(dǎo)體材料；通過(guò)電子束蒸發(fā)在有機(jī)半導(dǎo)體材料表面蒸鍍一層金屬薄膜；用丙酮?jiǎng)冸x掉光刻膠完成底電極的圖形化；真空蒸鍍有機(jī)半導(dǎo)體材料，完成器件的制作。本發(fā)明對(duì)底電極的修飾采用溝道半導(dǎo)體材料本身，減小了電極與溝道材料之間的接觸電勢(shì)差。修飾用的有機(jī)半導(dǎo)體材料使用真空蒸鍍的方式得到，真空蒸鍍得到的有機(jī)半導(dǎo)體材料相對(duì)于液相法來(lái)說(shuō)具有更好物理形貌以至電學(xué)性能。另外，這種方法的工藝過(guò)程也比較簡(jiǎn)單，沒(méi)有增加復(fù)雜的工藝。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出